5.5kw微納米曝氣機(jī)河道藻類抑制污水增氧

產(chǎn)品簡介

5.5kw微納米曝氣機(jī)河道藻類抑制污水增氧特性
1.比表面積大
氣泡的體積和表面積的關(guān)系可以通過公式表示。氣泡的體積公式為V=4π/3r3，氣泡的表面積公式為A=4πr2，兩公式合并可得A=3V/r，即V總=n·A=3V總/r。也就是說，在總體積不變（V不變）的情況下，氣泡總的表面積與單個氣泡的直徑成反比。

產(chǎn)品型號：LJ-MNG-2.2

更新時間：2025-03-22

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

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產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

河道治理類

黑臭水體改善增氧裝置池塘推流增氧設(shè)備解層式曝氣機(jī) 光伏解層式復(fù)氧機(jī) 浮水式浮水式安裝微氣泡發(fā)生裝置水車增氧曝氣機(jī) 中心水柱式噴泉造景太陽能推流式曝氣機(jī) 光伏式水下推流曝氣機(jī) 光伏系列太陽能噴泉曝氣機(jī) 湖泊裝飾景觀噴泉曝氣機(jī) 太陽能噴泉曝氣機(jī)安裝說明光伏魚塘太陽能循環(huán)復(fù)氧機(jī) 水庫噴泉增氧機(jī) 太陽能蓄電噴泉曝氣機(jī) 浮筒式太陽能噴泉曝氣機(jī) 太陽能不銹鋼噴泉曝氣機(jī) 景觀水處理太陽能提水式曝氣機(jī) 城市污水處理河道太陽能曝氣機(jī) SFT-LJ-750河道用太陽能噴泉式曝氣機(jī) SFT-LJ-750太陽能帶遠(yuǎn)程控制噴泉曝氣機(jī) SFT-LJ-550太陽能蓄電儲能噴泉曝氣機(jī) SFT-LJ-550太陽能喇叭花噴泉曝氣機(jī) SFT-LJ-250太陽能光伏板噴泉曝氣機(jī) SFT-LJ-250太陽能提水式噴泉曝氣機(jī) 太陽能浮水式噴泉曝氣機(jī) 漂浮式微納米氣泡曝氣機(jī)LJ-MNG7500 景觀噴泉太陽能式曝氣機(jī)設(shè)備揚水式太陽能曝氣機(jī)設(shè)備光伏板噴泉曝氣設(shè)備太陽能水下增氧曝氣設(shè)備太陽能噴泉曝氣機(jī)SFT-TJ-550 太陽能推流曝氣機(jī)水車增氧機(jī) 太陽能噴泉曝氣機(jī) 微納米曝氣機(jī) 涌泉曝氣機(jī) 造流曝氣機(jī) 噴泉曝氣機(jī)

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5.5kw微納米曝氣機(jī)河道藻類抑制污水增氧特性

1.比表面積大

氣泡的體積和表面積的關(guān)系可以通過公式表示。氣泡的體積公式為V=4π/3r3，氣泡的表面積公式為A=4πr2，兩公式合并可得A=3V/r，即V總=n·A=3V總/r。也就是說，在總體積不變（V不變）的情況下，氣泡總的表面積與單個氣泡的直徑成反比。根據(jù)公式，10微米的氣泡與1毫米的氣泡相比較，在一定體積下前者的比表面積理論上是后者的100倍?？諝夂退慕佑|面積就增加了100倍，各種反應(yīng)速度也增加了100倍。

2.上升速度慢

根據(jù)斯托克斯定律，氣泡在水中的上升速度與氣泡直徑的平方成正比。氣泡直徑越小則氣泡的上升速度越慢。從氣泡上升速度與氣泡直徑的關(guān)系圖可知，氣泡直徑1mm的氣泡在水中上升的速度為6m/min，而直徑10μm的氣泡在水中的上升速度為3mm/min，后者是前者的1/2000。如果考慮到比表面積的增加，微納米氣泡的溶解能力比一般空氣增加20萬倍。

3.自身增壓溶解

水中的氣泡四周存有氣液界面，而氣液界面的存在使得氣泡會受到水的表面張力的作用。對于具有球形界面的氣泡，表面張力能壓縮氣泡內(nèi)的氣體，從而使更多的氣泡內(nèi)的氣體溶解到水中。根據(jù)楊-拉普拉斯方程，?P=2σ/r,?P 代表壓力上升的數(shù)值，，σ代表表面張力，r代表氣泡半徑。直徑在0.1mm以上的氣泡所受壓力很小可以忽略，而直徑10μm的微小氣泡會受到0.3個大氣壓的壓力，而直徑1μm的氣泡會受高達(dá)3個大氣壓的壓力。微納米氣泡在水中的溶解是一個氣泡逐漸縮小的過程，壓力的上升會增加氣體的溶解速度，伴隨著比表面積的增加，氣泡縮小的速度會變的越來越快，從而溶解到水中，理論上氣泡即將消失時的所受壓力為無限大。

4.5.5kw微納米曝氣機(jī)河道藻類抑制污水增氧表面帶電

純水溶液是由水分子以及少量電離生成的H+和OH-組成，氣泡在水中形成的氣液界面具有容易接受H+和OH-的特點，而且通常陽離子比陰離子更容易離開氣液界面，而使界面常帶有負(fù)電荷。已經(jīng)帶上電荷的表面傾向于吸附介質(zhì)中的反離子，特別是高價的反離子，從而形成穩(wěn)定的雙電層。微氣泡的表面電荷產(chǎn)生的電勢差常利用ζ電位來表征，ζ電位是決定氣泡界面吸附性能的重要因素。當(dāng)微納米氣泡在水中收縮時，電荷離子在非常狹小的氣泡界面上得到了快速濃縮富集，表現(xiàn)為ζ電位增加，到氣泡破裂前在界面處可形成非常高的ζ電位值。